Samsung Electronics ha anunciado el comienzo de la producción en serie de la primera solución de almacenamiento flash universal (eUFS) integrado de 512 GB para su uso en dispositivos móviles de próxima generación Utilizando los últimos chips V-NAND de Samsung de 64 capas y 512 GB, el nuevo chip eUFS de 512 GB proporciona una …
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