Con sus chipsets propietarios Exynos 2200 ya sobre procesos de 4 nanómetros y con TSMC sacándole los colores con su novedosa litografía de 4 nanómetros que se ha demostrado más potente y eficiente, parece que los ingenieros de Samsung han querido irse directos al futuro para iniciar la producción de chips de 3 nanómetros, nada menos, siendo los primeros de la industria en anunciarlo.Lo han confirmado además pocas horas después de difundirse los primeros rumores, publicando una curiosa nota de prensa con infografías e imágenes del equipo de desarrollo, en el que además nos presentan a grandes rasgos un nuevo nodo que implementa la tecnología GAA (Gate-All-Around) por primera vez.Salta el rumor y Samsung no desmiente sino que confirma: sus fábricas ya están produciendo chips de 3 nanómetros.Una nueva tecnología de la que Samsung especifica algunos detalles, como que el nodo permite aplicar el material aislante alrededor de los cuatro lados del transistor, en lugar del FinFET anterior en el que sólo se aplicaba en tres lados.Con el nuevo 'Multi-Bridge Channel FET' (MBCFET), la tecnología GAA de Samsung implementada por primera vez desafía los límites de rendimiento del FinFET, mejorando la eficiencia energética al reducir el voltaje de entrada, mientras que se mejora el rendimiento aumentando la capacidad de conducción actual.Dicen desde el gigante de Suwon que, siempre según sus estimaciones, estos chips fabricados con el nuevo proceso GAA de 3 nanómetros de primera generación pueden mejorar el rendimiento en un 23% si los comparamos con los de 5 nanómetros.Pero …