Samsung ha comenzado la producción de chips de 3 nanómetros. Es el primer fabricante de semiconductores en dar el salto a esta nueva tecnología, y supera a TSMC, el principal competidor del mercado.

Samsung explica que la primera generación de sus chips de 3 nm tienen 23% mejor desempeño, 45% menor consumo energético y son 16% más pequeños, comparados con la generación anterior de 5 nm.

Samsung logró llegar a los chips de 3 nanómetros gracias al uso de la arquitectura de transistores Gate-All-Around (GAA), que a su vez hizo posible el desarrollo de la tecnología propietaria de Samsung Multi-Bridge-Channel FET (MBCFET) para la producción de los chips.

Es la primera vez que se implementa esta tecnología y, según Samsung, "desafía las limitaciones de desempeño del proceso FinFET", utilizado hasta ahora para la fabricaciones de semiconductores.

La clave, explica la compañía, está la mejora de la eficiencia energética al reducir el nivel de voltaje de suministro, al mismo tiempo que mejora el rendimiento al aumentar la capacidad de corriente del variador. La primera aplicación de la nueva tecnología de Samsung será en chips para equipos de cómputo de alta potencia con bajo consumo energético, pero se expandirá posteriormente a la producción de procesadores móviles.

Todo esto aplica con la primera generación del nodo de 3 nanómetros de Samsung. Con la segunda generación, asegura la compañía, el consumo energético se reducirá 50%, el desempeño mejorará …