Los investigadores chinos han logrado algo bastante notable: una memoria flash de grafeno que escribe datos 400 veces más rápido que las tecnologías actuales. El equipo de la Universidad de Fudan en Shanghái ha desarrollado este dispositivo que, si llega al mercado, podría suponer un cambio importante en cómo funcionan nuestros dispositivos.La información nos llega desde Techspot, que detalla cómo esta tecnología denominada "PoX" alcanza velocidades de 400 picosegundos. Hablamos de 25 mil millones de operaciones por segundo, una cifra que pone en evidencia las limitaciones de las memorias que usamos a diario.El grafeno vuelve a demostrar de qué es capazLa clave está en el mecanismo de "super-inyección" que aprovecha las propiedades del grafeno. Este material bidimensional permite un flujo de carga ultrarrápido que evita los cuellos de botella habituales de las memorias convencionales, un problema que llevaba años frenando el rendimiento de nuestros dispositivos.La tecnología destaca porque combina velocidad y eficiencia energética. Mientras las memorias tradicionales tardan microsegundos en escribir datos, la memoria PoX completa el proceso en 400 picosegundos, consumiendo menos energía en el proceso.Las aplicaciones son amplias. En inteligencia artificial permitiría procesar datos en tiempo real para modelos complejos sin los retrasos actuales. Los centros de datos podrían reducir su consumo energético, y nuestros dispositivos móviles tendrían un rendimiento muy superior al actual.El profesor Zhou Peng, que lidera el proyecto, lo explica de forma clara: "Este dispositivo puede funcionar mil millones de veces en un parpadeo, frente a las mil operaciones de una memoria USB estándar". La …