IBM y Samsung anunciaron la creación de un nuevo chip que promete importantes mejoras de rendimiento y gestión de energía para los dispositivos móviles.
Y es que estos dos grandes de la tecnología afirman que han logrado un gran avance en el diseño de semiconductores. Se trata de un VTFET(Vertical Transport Nanosheet field Effect Transistor), que presenta en su núcleo una arquitectura vertical en lugar del método plano horizontal habitual.
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Este nuevo diseño va a permitir que la corriente fluya hacia arriba y hacia abajo por una pila de transistores acomodados verticalmente, en lugar de que la corriente eléctrica fluya de lado a lado como lo hace habitualmente.
Así será posible que quepan también más transistores en la superficie del chip, lo que permitirá que se puedan procesar más cálculos por segundo.
Por lo tanto, al crear más puntos de contacto para los transistores, existirá un mayor flujo de energía y un menor desperdicio.
¿Qué mejoras podrían traer?
Dicho esto, IBM y Samsung señalan que estos chips VTFET podrían ofrecer una «mejora 2 veces mayor en el rendimiento o una reducción del 85% en el uso de la energía» en comparación a los diseños que ofrece actualmente FinFET.
Y no sólo será eso, también afirman que la tecnología VTFET dará lugar a baterías de dispositivos móviles que podrían durar más de una semana sin cargarse, en lugar de días; sin dejar de lado la posibilidad de que existan dispositivos IoT y naves …