Lo que parecía imposible hace apenas unos años ya es una realidad tangible en un laboratorio de Shanghái. Investigadores de la Universidad Fudan han desarrollado un nuevo tipo de memoria flash basada en grafeno que promete ser una revolución completa en el sector. Esta tecnología, bautizada como PoX, es capaz de escribir datos en 400 picosegundos (0,4 nanosegundos), estableciendo un récord absoluto en el mundo del almacenamiento.Según TechSpot, este nuevo dispositivo supera en 100.000 veces la velocidad del anterior récord mundial para memorias no volátiles. Un avance que no solo destaca por sus impresionantes cifras, sino por cómo podría transformar desde nuestros móviles hasta los centros de datos que alimentan la inteligencia artificial.Un salto tecnológico sin precedentesPara entender la magnitud del hallazgo hay que ver las cifras. La memoria PoX puede realizar 25.000 millones de operaciones por segundo, cuenta con una durabilidad de 1 billón de ciclos de escritura (cuando un USB convencional apenas llega a 1.000) y consume 100 veces menos energía que las memorias DRAM que utilizamos actualmente.El equipo del profesor Zhou Peng ha conseguido este salto mediante tres innovaciones fundamentales: la sustitución del silicio por grafeno, el aprovechamiento del transporte balístico para mover electrones a velocidades nunca vistas y un sistema de "super-inyección" que elimina los cuellos de botella en el flujo de carga.No es la primera vez que vemos al grafeno romper barreras. En enero, científicos crearon el primer semiconductor funcional de grafeno, y también ha demostrado su capacidad para resolver complejos dilemas científicos. Este material …